삼성전자, 3D DRAM 시대 선도: 핀펫 기술 적용으로 성능 한계 돌파
삼성전자가 차세대 DRAM 기술인 3D DRAM 시대를 앞당기기 위해 핀펫(FinFET) 기술 적용을 가속화하고 있다고 밝혔습니다. 기존 DRAM 기술의 한계에 직면하면서, 더욱 혁신적인 기술 도입이 필수적이라는 분석입니다.
오정훈 삼성전자 마스터는 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 “BCAT(Buried Channel Array Transistor) 기반 기존 DRAM은 10nm 미만에서 성능 향상에 어려움을 겪을 수 있다”고 설명했습니다. 이는 기존 기술로는 더 이상 DRAM의 집적도를 높이거나 성능을 개선하기 어렵다는 의미입니다.
핀펫 기술이란? 핀펫은 트랜지스터를 3차원으로 구현하여 기존 평면 구조보다 면적 효율성을 높이고, 누설 전류를 줄여 전력 효율을 향상시키는 기술입니다. 이러한 장점 덕분에 핀펫 기술은 고성능, 저전력 반도체 설계에 필수적인 요소로 자리 잡았습니다.
삼성전자는 핀펫 기술을 DRAM에 적용하여 데이터 처리 속도를 높이고, 전력 소비를 줄이며, 더 높은 집적도를 달성하는 것을 목표로 하고 있습니다. 이는 인공지능, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 고성능 컴퓨팅 환경에 최적화된 DRAM을 제공하기 위한 노력의 일환입니다.
3D DRAM의 중요성 3D DRAM은 메모리 셀을 수직으로 쌓아 올려 집적도를 높이는 기술입니다. 기존 DRAM보다 더 많은 데이터를 저장할 수 있으며, 데이터 접근 속도도 향상될 수 있습니다. 3D DRAM은 고성능 컴퓨팅, 모바일 기기, 데이터 센터 등 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다.
삼성전자는 핀펫 기술 적용을 통해 3D DRAM 기술을 더욱 발전시키고, 차세대 메모리 시장을 선도할 계획입니다. 경쟁사 역시 3D DRAM 기술 개발에 박차를 가하고 있지만, 삼성전자의 선제적인 투자와 기술 개발 노력은 시장 경쟁력을 강화하는 데 기여할 것으로 전망됩니다.
이번 학술대회에서의 발표는 삼성전자가 DRAM 기술 혁신을 위한 적극적인 의지를 보여주는 동시에, 미래 반도체 기술 트렌드를 제시했다는 평가를 받고 있습니다. 앞으로 삼성전자가 3D DRAM 기술 개발을 통해 반도체 산업에 어떤 변화를 가져올지 기대됩니다.
