Russland entwickelt 11,2 nm EUV-Lithografie-Technologie, um ASML zu konkurrieren
2024-12-23
Notebookcheck
Russland bereitet den Bau eigener EUV-Lithografieanlagen mit einer Wellenlänge von 11,2 nm vor, um mit der etablierten Technologie von ASML bei 13,5 nm zu konkurrieren. Diese Entwicklung soll die russische Halbleiterindustrie stärken und die Abhängigkeit von ausländischen Technologien reduzieren. Mit dieser innovativen EUV-Lithografie-Technologie soll es möglich sein, noch komplexere und leistungsfähigere Mikrochips zu produzieren, was für künstliche Intelligenz, IoT und 5G-Technologien von entscheidender Bedeutung ist. Durch die Verwendung von EUV-Lithografie können Unternehmen höhere Produktionsraten und höhere Ausbeuten erzielen.
