Russland entwickelt 11,2 nm EUV-Lithografie-Technologie, um ASML zu konkurrieren
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Russland bereitet den Bau eigener EUV-Lithografieanlagen mit einer Wellenlänge von 11,2 nm vor, um mit der etablierten Technologie von ASML bei 13,5 nm zu konkurrieren. Diese Entwicklung soll die russische Halbleiterindustrie stärken und die Abhängig ...Mehr lesen