Революция в памяти: Intel, Synopsys и TSMC представили инновационные решения с рекордной плотностью
2025-02-27
russianelectronics
Компании Intel и TSMC представили результаты совместной разработки ключевых схем памяти SRAM, созданных с использованием передовых технологий Intel 18a и TSMC N2. Эти инновации открывают новые возможности для повышения производительности и снижения энергопотребления в современных электронных устройствах, включая смартфоны и центры обработки данных. Развитие памяти с высокой плотностью является ключевым фактором в развитии искусственного интеллекта и Интернета вещей.
