Russland entwickelt ein 11,2 nm EUV-Lithografiesystem, das mit der Technologie von ASML konkurrieren soll
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Russland bereitet sich auf den Bau eigener EUV-Lithografieanlagen (extreme ultraviolet) vor. Mit einer Technologie bei einer Wellenlänge von 11,2 nm anstelle der bei ASML-Systemen (Advanced Semiconductor Materials Lithography) üblichen 13,5 nm wird . Mehr lesen
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